等离子体CVD

等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是通过将活性气体变成等离子体状态,在目标基材上产生活性自由基和离子,使目标基材发生化学反应而形成薄膜的技术。在化合物半导体和硅半导体的制造过程中,用于沉积作为钝化膜的氮化硅薄膜(SiN)和作为层间绝缘膜的氧化硅薄膜(SiO₂)。