液体原料CVD
Samco独特的液态源CVD™系统使用自偏置沉积技术和液态TEOS源来沉积低应力的SiO2薄膜，从薄膜到极厚的薄膜（高达100 µm）。
-
液体原料CVD设备 PD-200STL
负载锁定系统，最高可达200毫米
-
液体原料CVD设备 PD-270STLC
低温厚膜沉积生产设备
-
液体原料CVD设备 PD-330STC
沉积物高达ø300 mm
-
液体原料CVD设备 PD-100ST
开放式研发设备
主要特点和优点
LSCVD™采用独特的等离子体增强CVD技术，利用液态TEOS源，可在80~300℃的温度下沉积无应力SiO2薄膜。阴极耦合样品阶段周围的强鞘电场产生高层次的离子能量，这使得从薄膜到厚膜（高达100μm）的低内应力氧化硅薄膜的沉积成为可能。此外，LSCVD™的薄膜具有令人难以置信的保形性，在高纵横孔中沉积的能力使该系统独特地适用于TSV和MEMS应用。
FAQs about 液体原料CVD
- 传统的阳极耦合CVD系统和利用自偏压的阴极耦合CVD系统有什么区别？
- 不同的是样品相对于射频供电电极的位置。阴极耦合CVD系统通过将样品放在阴极电极上而不是阳极电极上，最大限度地利用自偏压。