深硅蚀刻设备 RIE-800iPB
行业领先的性能

概要

Samco 的 RIE-800iPB 是一种高性能的电感耦合等离子体 (ICP) 蚀刻系统，使用高密度等离子体进行 MEMS 和 TSV 应用所需的深度硅蚀刻。
RIE-800iPB是专为Bosch工艺设计的专用硅蚀刻系统（由Robert Bosch GmbH授权）。该系统独特的反应室、电极、平台和真空设计克服了在竞争系统中遇到的问题，可实现高速(约50 μm/min)、无倾斜、高剖面蚀刻，具有行业领先的选择性(超过100:1)。

主要特点和优点

  • MEMS量产中的高速蚀刻
  • 量产中的高宽比蚀刻
  • 扇贝的控制/无扇贝的非波西法流程
  • 倾斜控制，均匀性好
  • 用于绝缘体硅(SOI)晶片缺口控制的偏置脉冲。
  • 扩展流程库

应用

  • MEMS（加速度传感器、陀螺仪、压力传感器、执行器等）。
  • 通过硅通道(TSV)
  • 喷墨打印机头的加工
  • 功率器件(超结MOSFET)
  • 等离子切割/划线

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