深硅蚀刻

Samco是日本半导体工艺设备制造商中第一家获得博世工艺许可的公司。使用我们最新的Tornado ICP®专利技术和利用博世工艺，Samco的Si DRIE系统已被证明在研发和生产中的深层、垂直、高速Si深层蚀刻方面非常有效。

主要特点和优点

Samco Si DRIE系统的优势。

  • 业界领先的蚀刻速率超过50微米/分钟。
  • 高选择性超过250:1（Si:光刻胶）。
  • 均匀度为±5%或更高（4、6和8英寸晶圆）。
  • 高长宽比（大于40:1）。
  • 低扇形，光滑的侧壁轮廓（小于0.1μm扇形）。
  • 获得专利的双频SOI抗缺口蚀刻技术。
  • 独特的 "防倾斜 "功能，确保高均匀性。
  • 静电夹头和氦气背面冷却(用于晶圆温度控制)
  • ICP源可以修改为SiO2的DRIE。

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