设备ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-800iP

高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一套完整的生产系统，具有优良的工艺重复性和稳定性。

新的ICP源 "HSTC™: Hyper Symmetrical Tornado Coil"。

　可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。

大流量排气系统

　排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。

下电极升降机构

　晶片和等离子体之间的距离经过优化，以确保良好的平面内均匀性。

易于维护的设计

　TMP(涡轮分子泵)集成在设备中，便于更换。

• GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。
• SiC、SiO₂的高速加工。
• 蚀刻铁电材料（PZT、BST、SBT、SBT）、电极材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他难以蚀刻的材料。
• 複合式半導體晶片的等離子切割和薄型化。