ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-350iPC
最大ø350毫米的托架
概要
RIE-350iPC是一种盒式装载电感耦合等离子体(ICP)蚀刻设备，可处理多达ø350毫米的载盘，用于多晶圆批量处理。
该系统为各种蚀刻应用提供了坚固可靠的硬件和卓越的工艺控制，具有较高的生产率，如功率器件、微型LED、VCSEL、LD、电容器和射频滤波器。
主要特点和优点
- 最大加工范围：ø350 mm (ø3" x 12, ø4" x 8, ø12" x 1)
- 先进的ICP源HSTC™（Hyper Symmetrical Tornado Coil）能有效地提供均匀的高密度等离子体，并在大面积上具有优异的蚀刻均匀性。
- 对称的疏散设计与TMP相结合，形成了高效的流动。
- 优化的气体歧管，提供工艺气体的均匀性。
- 可选的光学/干涉式端点检测系统可实现对多个工艺运行的精确蚀刻深度控制。
应用
- GaN、GaAs、InP和SiC的高精度蚀刻
- SiN和SiO2的蚀刻
- 电介质和金属的蚀刻
- 用于HBLED的PSS（图案化蓝宝石衬底）加工
