ICP刻蚀

Samco在研究和生产中提供了许多专用的电感耦合等离子体（ICP）蚀刻系统，以满足每个客户对高密度等离子体蚀刻的工艺要求。我们可靠、耐用和紧凑的ICP蚀刻系统使您能够处理各种材料（III-V化合物半导体（GaN、GaAs、InP）、硅、SiC、石英、玻璃、电介质和金属）。

主要特点和优点

Samco的ICP蚀刻系统的优点。

  • 高蚀刻率
  • 优秀的均匀性
  • 优异的基板直流偏压和离子能量控制能力
  • 通过ESC精确控制晶圆温度，从-10ºC到+200ºC。
  • 广泛的工艺库

SiC功率器件、GaN射频器件、MicroLEDs、激光二极管、GaAs VCSEL、SAW/BAW滤波器、电容器、MEMS器件等尖端技术，在未来的十年中被赋予了更多的期待。作为此类器件材料的化合物半导体的微细加工需要高精度的干式等离子体蚀刻工艺。Samco先进的电感耦合等离子体(ICP)蚀刻系统非常熟悉化合物半导体器件的加工。ICP蚀刻系统的等离子体密度是传统的电容耦合等离子体反应离子蚀刻（CCP-RIE）系统的1000倍。它们能够实现更广泛的工艺。然而，要在ICP蚀刻系统中获得均匀的等离子体并不容易。Samco公司开发了具有三维结构的ICP线圈 "Tornado ICP™"，它能够形成高度均匀的等离子体。
为了提高Tornado ICP™的可靠性和性能，Samco进行了电磁场模拟。通过这些模拟，我们找出了实现最佳均匀性的最佳配置。Tornado ICP™蚀刻系统不仅在化合物半导体上，而且在硅和金属薄膜上也实现了高度均匀、高速、高长宽比的蚀刻，被各行业的许多工厂和研究室所使用。

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