反应离子刻蚀
Samco为研发和生产客户提供可靠和耐用的反应离子蚀刻（RIE）系统。 台式紧凑型 RIE 蚀刻机是学术设备研究和 IC 故障分析的裸片去处理的合适工具。开放式负载RIE系统和负载锁定RIE系统具有宽广的工艺窗口，适用于各种材料（硅、电介质、化合物半导体、金属、聚合物和光刻胶）的等离子蚀刻。盒式装载RIE系统可提高器件制造的工艺产量。
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RIE Plasma Etching System RIE-10NR
ç´§å‡'åž‹ã€ä½Žæˆæœ¬çš„ç"µå®¹è€¦åˆå¼ç‰ç¦»åä½"刻蚀设备
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RIE Plasma Etching System RIE-200NL
Excellent repeatability
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Cassette Loading RIE Plasma Etching System RIE-200C
High throughput system
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ø300 mm RIE Plasma Etching System RIE-300NR
Up to ø300 mm (12")
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Compact Etcher RIE-1C
The RIE-1C is a compact desktop dry etching system for semiconductor chip failure analysis.
It is possible to remove the passivation membrane efficiently and with low damage. It is easy to operate and the process is done at the push of a button after the sample has been placed.
It can be placed on a tabletop or you can choose a dedicated stand.
主要特点和优点
- 高选择性各向异性蚀刻满足苛刻的工艺要求。
- 对称的排空设计提高了蚀刻的均匀性。
- 全自动 "一键式 "操作，可完全手动操作。
- 计算机触摸屏为参数控制和存储提供了一个用户友好的界面。
- 自动压力控制，可精确控制工艺压力，不受气体流量影响。
- 干式泵和系统布局便于维护。
- 13.56 MHz射频发生器，具有自动匹配功能，提供卓越的工艺重复性。
- Samco的CCP-RIE系统设计时尚、紧凑，只需要最小的洁净室空间。
反应离子蚀刻(RIE)是一种制造微观和纳米结构的等离子体蚀刻技术。在RIE蚀刻过程中，样品表面与低压等离子体产生的高能离子/自由基相互作用形成挥发性化合物。挥发性化合物从样品表面被去除，并实现了各向同性或各异性轮廓。通过优化干式蚀刻配方（腔体压力、射频功率、气体流量比），可以使用RIE蚀刻技术蚀刻各种类型的材料。