ICP刻蚀
Samco在研究和生产中提供了许多专用的电感耦合等离子体(ICP)蚀刻系统,以满足每个客户对高密度等离子体蚀刻的工艺要求。我们可靠、耐用和紧凑的ICP蚀刻系统使您能够处理各种材料(III-V化合物半导体(GaN、GaAs、InP)、硅、SiC、石英、玻璃、电介质和金属)。
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ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-800iPC
卓越的重复性和稳定性
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ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-400iPC
节省空间的生产设备
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ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-350iPC
基于托盘的批量处理
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ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-800iP
卓越的重复性和稳定性
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ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-400iP
适用于GaN、GaAs、InP和SiC
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ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-230iPC
量产设备
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ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-230iP
多功能负载锁设备
深硅蚀刻
Samco是日本半导体工艺设备制造商中第一家获得博世工艺许可的公司。使用我们最新的Tornado ICP®专利技术和利用博世工艺,Samco的Si DRIE系统已被证明在研发和生产中的深层、垂直、高速Si深层蚀刻方面非常有效。
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深硅蚀刻设备 RIE-802BCT
双室生产系统
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深硅蚀刻设备 RIE-800BCT
大气层盒式装载
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深硅蚀刻设备 RIE-800iPB
行业领先的性能
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深硅蚀刻设备 RIE-400iPB
硅和二氧化硅蚀刻
反应离子刻蚀
Samco为研发和生产客户提供可靠和耐用的反应离子蚀刻(RIE)系统。 台式紧凑型 RIE 蚀刻机是学术设备研究和 IC 故障分析的裸片去处理的合适工具。开放式负载RIE系统和负载锁定RIE系统具有宽广的工艺窗口,适用于各种材料(硅、电介质、化合物半导体、金属、聚合物和光刻胶)的等离子蚀刻。盒式装载RIE系统可提高器件制造的工艺产量。
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RIE等离子蚀刻设备 RIE-10NR
紧凑新颖的低成本设备
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RIE等离子蚀刻系统 RIE-200NL
卓越的稳定性
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装入卡带 RIE等离子蚀刻设备 RIE-200C
高吞吐量
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ø300毫米RIE等离子蚀刻设备 RIE-300NR
最大可达ø300 mm(12")
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紧凑型蚀刻机 RIE-1C
紧凑型台式设备