液体原料CVD设备 PD-100ST
沉积物达ø100 mm(4")
概要
PD-100ST是一种用于研发的低温(80 ~ 400°C)、高速(>300 nm/min)等离子体增强CVD系统。Samco独特的液态源CVD系统采用自偏置沉积技术和液态TEOS源,以低应力沉积SiO2薄膜,从薄膜到极厚的薄膜(高达100 µm)。PD-100ST具有时尚、紧凑的设计,只需要最小的洁净室空间。
主要特点和优点
- 沉积物达ø100 mm(4")。
- 阴极耦合自偏析沉积技术可以实现低应力薄膜的高速(>300 nm/min)沉积。
- 通过低温沉积,可以在塑料表面上沉积薄膜。
- 高纵横比结构的优秀阶梯覆盖率
- 使用锗、磷、硼液源控制折射率。
- PD-100ST设计时尚、紧凑,只需要最小的洁净室空间。
应用
- 塑料材料上保护膜的沉积
- 在3D LSI的通孔侧壁上沉积绝缘膜。
- 光波导的制造(光纤芯/包层)。
- 制造用于微型机械生产的面罩。
- 覆盖高纵横比结构,如MEMS器件。
- SAW设备的温度补偿膜和钝化膜。
论文
- Lee, M. L., Wang, S. S., Yeh, Y. H., Liao, P. H., & Sheu, J. K. (2019). Light-emitting diodes with surface gallium nitride p–n homojunction structure formed by selective area regrowth. Scientific reports, 9(1), 1-7.
- Nishijima, T., Shimizu, S., Kusano, K., Kudo, K., Furuta, M., Kusuda, Y., ... & Tsunoda, I. (2020). Au induced lateral crystallization of amorphous Ge with stress stimulation at 130○ C. AIP Advances, 10(5), 055306.
- Cheng, X., Hong, J., Spring, A. M., & Yokoyama, S. (2017). Fabrication of a high-Q factor ring resonator using LSCVD deposited Si 3 N 4 film. Optical Materials Express, 7(7), 2182-2187.