设备

原子层沉积(ALD)

原子层沉积(ALD)是一种薄膜生长技术，能够为电子器件(电源和射频)沉积无针孔和均匀的绝缘体薄膜。ALD在高长宽比沟槽和通孔结构上提供了优异的保形性，在角级的厚度控制，以及基于连续、自限性反应的可调整薄膜成分。Samco提供高度灵活的开放式热ALD系统AL-1和负载锁定等离子体增强ALD系统AD-230LP。

等离子体CVD

等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是通过将活性气体变成等离子体状态，在目标基材上产生活性自由基和离子，使目标基材发生化学反应而形成薄膜的技术。在化合物半导体和硅半导体的制造过程中，用于沉积作为钝化膜的氮化硅薄膜（SiN）和作为层间绝缘膜的氧化硅薄膜（SiO₂）。

液体原料CVD

Samco独特的液态源CVD™系统使用自偏置沉积技术和液态TEOS源来沉积低应力的SiO2薄膜，从薄膜到极厚的薄膜（高达100 µm）。

ICP刻蚀

Samco在研究和生产中提供了许多专用的电感耦合等离子体（ICP）蚀刻系统，以满足每个客户对高密度等离子体蚀刻的工艺要求。我们可靠、耐用和紧凑的ICP蚀刻系统使您能够处理各种材料（III-V化合物半导体（GaN、GaAs、InP）、硅、SiC、石英、玻璃、电介质和金属）。

深硅蚀刻

Samco是日本半导体工艺设备制造商中第一家获得博世工艺许可的公司。使用我们最新的Tornado ICP®专利技术和利用博世工艺，Samco的Si DRIE系统已被证明在研发和生产中的深层、垂直、高速Si深层蚀刻方面非常有效。

反应离子刻蚀

Samco为研发和生产客户提供可靠和耐用的反应离子蚀刻（RIE）系统。 台式紧凑型 RIE 蚀刻机是学术设备研究和 IC 故障分析的裸片去处理的合适工具。开放式负载RIE系统和负载锁定RIE系统具有宽广的工艺窗口，适用于各种材料（硅、电介质、化合物半导体、金属、聚合物和光刻胶）的等离子蚀刻。盒式装载RIE系统可提高器件制造的工艺产量。

等离子清洗

Samco的等离子清洗机是一种平行板系统，用于清洗样品表面的有机和无机污染。工艺室允许用户安装多个电极架，架子电极配置的灵活性支持从研究到大批量生产的各种产品的批量处理。

紫外线臭氧清洗

Samco的紫外线臭氧清洗机采用紫外线照射、臭氧和阶段性加热的独特组合，温和而有效地去除各种基板上的有机材料，包括硅、玻璃、化合物半导体（GaN、SiC、GaAs和InP）、蓝宝石、陶瓷等。今天，我们的产品线包括紧凑型台式和盒式系统，适用于研发和量产客户。